傳感器響應(yīng)時(shí)間測(cè)試大電流源

HCPL100傳感器響應(yīng)時(shí)間測(cè)試大電流源特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

50~500us的脈沖寬度連續(xù)可調(diào)；

15us的超快上升沿；

同步測(cè)量電壓；

單臺(tái)z大可達(dá)1000A輸出；

可極性反轉(zhuǎn)；

0.1%測(cè)試精度；詳詢(xún)18140663476

技術(shù)指標(biāo)
電流脈寬  50μs~500μs
脈沖電流上升沿時(shí)間 典型時(shí)間15us
輸出脈沖電流 5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
輸出負(fù)載電壓要求<12V@1000A
DUT電壓測(cè)量   2獨(dú)立通道
DUT電壓測(cè)量   遠(yuǎn)端測(cè)量，峰值電壓測(cè)量（取樣點(diǎn)可配置）
DUT電壓測(cè)量   0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV

DUT電壓測(cè)量   0~3V量程，精度0.1%±3mV

DUT電壓測(cè)量   0~18V量程，精度0.1%±8mV
電流脈沖輸出間隔時(shí)間1秒
電流脈沖峰值功率<12kW
支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流，如3000A
支持輸出極性反轉(zhuǎn)
觸發(fā)信號(hào) 支持trigin及trig out
通訊接口 RS232
輸入電壓 90~264VAC、50/60Hz
輸入功率<750W
尺寸：長(zhǎng)516x寬250x高160mm

應(yīng)用領(lǐng)域

肖特基二極管

整流橋堆

IGBT器件

IGBT半橋模塊

IPM模塊

聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域高端測(cè)試設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，武漢普賽斯儀表堅(jiān)持自主創(chuàng)新研發(fā)，積極打造對(duì)標(biāo)進(jìn)口、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的實(shí)驗(yàn)與測(cè)試平臺(tái)。掌握多項(xiàng)電性能測(cè)試核心專(zhuān)利技術(shù)，構(gòu)建了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、脈沖恒壓源、集成插卡式源表、高精度的超大電流源、高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等系列產(chǎn)品，電流覆蓋pA至kA，電壓覆蓋μV至kV。基于自主核心儀表產(chǎn)品，我司創(chuàng)新打造了半導(dǎo)體參數(shù)分析儀、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、大功率激光器老化測(cè)試系統(tǒng)、miniLED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)等測(cè)試平臺(tái)，以高效率、高精度、低成本為核心，實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)應(yīng)用的集成創(chuàng)新。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六；

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