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公司基本資料信息
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功率器件CV測(cè)試系統(tǒng)方案
普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置,通過矩陣開關(guān)加載在待測(cè)件上。
進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí),通常在電容兩端施加直流偏壓,同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量。一般使用的交流信號(hào)頻率在10KHz 到1MHz之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描,掃描過程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流,從而計(jì)算出不同電壓下的電容值。詳詢一八一四零六六三四七六;
系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
高精度、大動(dòng)態(tài)范圍:提供0V~3500V偏壓范圍,精度0.1%;
內(nèi)置CV測(cè)試:內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件,包含C-V(電容-電壓),C-T(電容-時(shí)間),C-F(電容-頻率)等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能;
兼容IV測(cè)試:同時(shí)支持擊穿特性以及漏電流特性測(cè)試;
實(shí)時(shí)曲線繪制:軟件界面直觀展示項(xiàng)目測(cè)試數(shù)據(jù)及曲線,便于監(jiān)控;
擴(kuò)展性強(qiáng):系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),可根據(jù)需求靈活搭配;
基本參數(shù)
LCR |
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測(cè)試頻率 |
10Hz-1MHz |
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頻率輸出精確度 |
±0.01% |
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基本準(zhǔn)確度 |
±0.05% |
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AC測(cè)試信號(hào)準(zhǔn)位 |
10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度) |
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DC測(cè)試信號(hào)準(zhǔn)位 |
10mV至2V (1m Vrms 解析度) |
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輸出阻抗 |
100Ω |
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量測(cè)范圍 |
|Z|, R, X |
0.001mΩ–99.999MΩ |
|Y|, G, B |
0.1nS–99.999S |
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Cs、Cp |
0.01pF – 9.9999F |
Ls Lp |
0.1nH–9.999kH |
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D |
0.00001-9.9999 |
Q |
0.1-9999.9 |
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DCR |
0.001mΩ–9.999MΩ |
Δ% |
-9999%-999% |
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θ |
-180° -+180° |
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SMU |
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VGS范圍 |
0 - ±30V(選配) |
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IGSS/IGES |
≥10pA(選配) |
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VDS范圍 |
0 - ±300V |
0 - ±1200V |
0 - ±2200V |
0 - ±3500V |
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IDSS/ICES |
≥10pA |
≥1nA |
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源測(cè)精度 |
0.03% |
0.1% |
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功能 |
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測(cè)試方式 |
點(diǎn)測(cè)、圖形掃描 |
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測(cè)試參數(shù) |
DIODE:CJ、IR、VR MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES |
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接口 |
RS232、LAN |
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編程協(xié)議 |
SCPI、LabView |
半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀