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igbt測試設備igbt測試儀


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單價: 面議
發貨期限: 自買家付款之日起 天內發貨
所在地: 湖北 武漢市
有效期至: 長期有效
最后更新: 2025-02-14 10:21
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公司基本資料信息
 
 
產品詳細說明

普賽斯igbt測試設備igbt測試儀,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態參數,具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。


    普賽斯IGBT功率器件靜態參數測試系統配置由多種測量單元模塊組成,系統模塊化的設計能夠極大方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。詳詢一八一四零六六三四七六;


“雙高”系統優勢

    高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(z大可擴展至10kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯)

    高精度測量

    nA級漏電流,  μΩ級導通電阻

    0.1%精度測量

    模塊化配置

    可根據實際測試需要靈活配置多種測量單元系統預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

    測試效率高

    內置專用開關矩陣,根據測試項目自動切換電路與測量單元

    支持國標全指標的一鍵測試

    擴展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具


測試項目
集電極-發射極電壓Vces,集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發射極電壓Vges、柵極-發射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等

     半導體電學特性測試系統CV+IV測試儀
     http://m.r-pi.cn/goods/show-62440.html
     功率半導體器件CV測試系統
     http://m.r-pi.cn/goods/show-62442.html
     國產精密電流源+源表廠家
     http://m.r-pi.cn/goods/show-62453.html
     半導體性能測試數字源表SMU源表
     http://m.r-pi.cn/goods/show-62467.html
     霍爾延時響應測試系統電流傳感器測試設備
     http://m.r-pi.cn/goods/show-62553.html
     1200V+100A半導體參數分析儀CV+IV掃描儀
     http://m.r-pi.cn/goods/show-62630.html
igbt測試設備igbt測試儀由武漢普賽斯儀表有限公司提供,該企業負責igbt測試設備igbt測試儀的真實性、準確性和合法性。本站對此不承擔任何保證責任。
 
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