普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態參數測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯系我們！詳詢一八一四零六六三四七六；

E系列功率器件功能高壓測試模塊特點和優勢：

十ms級的上升沿和下降沿；

單臺z大3500V的輸出；

0.1%測試精度；

同步電流或電壓測量；

支持程控恒壓測流，恒流測壓，便于掃描測試；

應用領域：

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

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