在對低電阻率晶錠和晶圓進行非接觸式測量方式上擁有非常重要的重復性Si | Ge | 化合物半導體 | 寬帶隙 | 材料 | 金屬 | 導電 | 氧化物和氮化物[ Ge | Si | SiC | InP | GaAs | GaN | InAs以及更多]
特征 ：
| 電阻率的非接觸式測量和成像 | 高頻渦流傳感原理與集成紅外溫度傳感器可校正樣品的溫度變化 |
| 信號靈敏度 | 基于線圈頻率讀數(shù)（正在申請專利）的高信號靈敏度，可實現(xiàn)準確可靠的電阻率測量，并具有高再現(xiàn)性和可重復性 |
| 測量時間 | 測量時間 < 3 s，測量之間時間 < 1 s |
| 測量速度 | 200 mm 晶圓/晶錠 < 30 s，9個點 |
| 多點測量及測繪顯示 | 不超過9999個點 |
| 材料外形尺寸 | 平坦或略微彎曲的晶圓、晶錠、錠板、毛坯和薄膜 |
| X-Y位置分辨率 | ≥ 0.1mm |
| 邊緣扣除 | 5 mm |
| 可靠性 | 模塊化、緊湊的臺式儀器設計，可靠性高，正常運行時間 > 99% |
| 電阻率測量的重復性 | ≤ 0.15%，基于使用ANOVA Gage R&R方法對材料系統(tǒng)分析（MSA） |
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