導(dǎo)熱硅膠片滿足5G射頻功率放大器熱設(shè)計需求

       射頻功率放大器是5G基站中不可或缺的組成部件，通常會被設(shè)計成模塊安裝在整機(jī)中，盡可能的減少對其他部件的影響。由于射頻功率放大器在進(jìn)行持續(xù)高速的工作時，射頻功率放大器內(nèi)會產(chǎn)生大量熱量，而常規(guī)的射頻功率放大器在工作過程中不能夠進(jìn)行快速穩(wěn)定的散熱工作，進(jìn)而不能確保后續(xù)持續(xù)工作的穩(wěn)定性，如果通過開孔進(jìn)行散熱，則散熱效率低，且外界空氣中的雜質(zhì)與灰塵容易堵塞散熱孔。

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       隨著電力電子裝置的小型化發(fā)展以及功率密度的提高，設(shè)備的溫度對其安全可靠運(yùn)行影響很大。由于功率器件的失效率隨器件溫度呈指數(shù)關(guān)系增長，在實(shí)際工作中可能會因?yàn)闊崃坎荒芗皶r排出或分布不均導(dǎo)致器件溫度過高甚至燒毀，影響電路的可靠性和壽命。同時，功率器件的熱性能也對功率放大器的輸出失真有一定的影響。

       射頻功放的發(fā)熱量較高，一般芯片底部會直接焊到金屬基板上進(jìn)行散熱，芯片頂部與設(shè)備外殼之間則利用導(dǎo)熱硅膠片來填充，形成連續(xù)的導(dǎo)熱通路。導(dǎo)熱系數(shù)從1.2~25.0W/mK；防火等級UL94V0；多種厚度硬度選擇：0.5mm-5.0mm；使用溫度范圍：-40 To 160 ℃。軟性導(dǎo)熱硅膠片在一定的壓縮下滿足縫隙填充的需求，保持導(dǎo)熱性能不變，可迅速的將熱量傳導(dǎo)至外殼，達(dá)到一個很好的散熱目的。